產(chǎn)品概述
ADP16F03
ADP16F03系列產(chǎn)品采用增強的哈佛架構DSP內(nèi)核，主頻高達150MHz，32KW Flash，4KW SARAM，544W DARAM，集成運算加速器、運放、比較器、12BitADC、溫度傳感器，PWM控制器及SCI、SPI通訊外設；支持4線制快速程序燒錄；支持多種方波和弦波電機驅動方式；
數(shù)據(jù)手冊 →工業(yè) 車規(guī)
產(chǎn)品特性
● 供電電壓
– 3.3~5V（內(nèi)核1.2V，模擬3V，由內(nèi)部LDO產(chǎn)生）
● 高性能16位定點DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結構
– 快速中斷響應和處理
● 片內(nèi)存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 除法、開方
– 反正切
– 帕克變換
– 32位乘加及移位
● 30個通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構成3組互補，PWM7/8獨立）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● ADC
– 12位，轉換速率1MSPS
– 16通道，其中一路為溫度傳感器通道
– 通道排序器，可設置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流檢測放大
– 3個PGA，可用于相電流檢測放大
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，可組成上、下限值保護電路，限值可通過一對連接到比較器輸入端的DAC配置
● 中斷
– 2個外部中斷，
– 29個由PIE設置的外設中斷
● 數(shù)字延時濾波
● 時鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~10x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點功能
– 基于硬件的實時調試
● ESD等級(HBM)：2000V
● MSL濕敏等級：3
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
– LQFP32封裝
– QFN32封裝
– 3.3~5V（內(nèi)核1.2V，模擬3V，由內(nèi)部LDO產(chǎn)生）
● 高性能16位定點DSP內(nèi)核
– 主頻最高150MHz
– 哈佛(Harvard)總線結構
– 快速中斷響應和處理
● 片內(nèi)存儲器資源
– 4K x 16位SARAM
– (256+256+32)x 16位DARAM
– 32K x 16位Flash
● 運算加速單元
– 除法、開方
– 反正切
– 帕克變換
– 32位乘加及移位
● 30個通用I/O引腳
● 事件管理器EM1
– 4個16位定時/計數(shù)器
– 8路PWM輸出（PWM1~6構成3組互補，PWM7/8獨立）
– 1組正交編碼單元
– 3個捕獲單元(CAP1/2/3)
– 可配置PWM周期內(nèi)中斷產(chǎn)生和ADC采樣觸發(fā)時刻
● ADC
– 12位，轉換速率1MSPS
– 16通道，其中一路為溫度傳感器通道
– 通道排序器，可設置ADC采樣通道序列
● 運算放大器
– 1個OP，可用于母線電流檢測放大
– 3個PGA，可用于相電流檢測放大
● 電壓比較器
– 3個電壓比較器，參考端共用，可用于BEMF比較檢測
– 2個電壓比較器，可組成上、下限值保護電路，限值可通過一對連接到比較器輸入端的DAC配置
● 中斷
– 2個外部中斷，
– 29個由PIE設置的外設中斷
● 數(shù)字延時濾波
– 3組可獨立配置延時濾波單元，分別對應外部中斷、功率保護和CAP1/2/3
● 串行通訊外設
– SPI、SCI● 時鐘
– 10M片內(nèi)振蕩器
– PLL倍頻系數(shù)1x~10x
● 支持WDT
● 支持4線制快速程序燒錄
● 支持JTAG在線仿真
– 分析和斷點功能
– 基于硬件的實時調試
● ESD等級(HBM)：2000V
● MSL濕敏等級：3
● 封裝形式
– LQFP48封裝
– QFN48封裝
– LQFP32封裝
– QFN32封裝
